IGBT 模块是由 IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与 FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的 IGBT 模块直接应用于变频器、UPS 不间断电源等设备上;
IGBT功率模块是电压型控制,输入阻抗大,驱动功率小,控制电路简单,开关损耗小,通断速度快,工作频率高,元件容量大等优点。实质是个复合功率器件,它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低,开关频率高(可达20khz),这两点非常显着的特性,最近西门子公司又推出低饱和压降(2.2v)的npt-IGBT性能更佳,相继东芝、富士、ir,摩托罗拉亦已在开发研制新品种。
IGBT功率模块的特点主要有:
1.高压降:IGBT功率模块的高压降可以提高系统的效率;
2.高功率密度:IGBT功率模块的功率密度比普通MOSFET功率模块高,可以提高系统的功率密度;
3.低损耗:IGBT功率模块的损耗比普通MOSFET功率模块低,可以降低系统的损耗;
4.高可靠性:IGBT功率模块的可靠性比普通MOSFET功率模块高,可以提高系统的可靠性。
IGBT的主要应用领域:
作为新型功率半导体器件的主流器件,IGBT已广泛应用于工业、 4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、航空航天、国防军工等传统产业领域,以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。如交通控制、功率变换、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备,以及用于自动控制的变频器。在消费电子方面,IGBT用于家用电器、相机和手机。
IGBT是先进的第三代功率模块,工作频率1-20khz,主要应用在变频器的主线路逆变器及所有逆变线路,即dc/ac变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史,几乎已替代所有其他功率器件,例SCR、GTO、GTR、MOSFET、双极型达林顿管等如今功率可高达1MW的低频应用中,单一元件电压可达4.0KV(pt构造)一6.5KV(npt构造),电流可达1.5KA,是较为理想的功率模块。
IGBT功率模块可以用于电源转换器、UPS电源、变频器、逆变器等应用中。它还可以用于电动汽车、电力电子设备、电源系统、电机控制系统、电源调节器、电源转换器等应用中。
为打造一个高质量、高收录的外链平台,站长将针对所有普通用户投稿的内容进行审核,针对文章原创度、文章格式是否杂乱、外链数量是否泛滥等多个方面对投稿内容进行审核测评,只有满足条件的内容才会通过审核。
平台将持续严厉打击发布虚假不实信息内容,一经发现立即删除,且将对发布虚假内容的账号进行相应的处罚。
当用户等级达到2级及以上等级之后,可联系站长【QQ:724413399】免费升级至VIP会员组,将免费获得发贴免审核权限,以后发的帖子都将跳过审核直接发布成功!
双击表格可删除表格
1、本站资源,均来自网络,版权归原作者,所有资源和文章仅限用于学习和参考 。
2、不得用于商业或非法用途,否则,一切责任由该用户承担 !
3、本站内容如不慎侵犯了你的权益,敬请谅解,内容素材由网友自发上传并非本站意愿,您可参照《文章侵权处理流程》联系我方解决!